Расценка ГЭСНм 32-01-021-01. Установка: выращивания эпитаксиальных структур гидридным методом при пониженном давлении, СВЧ обогревом — компл. ГЭСНм-2020
Утверждены Приказом Минстроя РФ от 26.12.2019 г. № 871/пр

ГЭСНм 32-01-021-01

Установка: выращивания эпитаксиальных структур гидридным методом при пониженном давлении, СВЧ обогревом — компл

Ресурсы:

КодНаименованиеК-воЕд.
1-100-41Затраты труда рабочих (Средний разряд - 4,1)144чел.-ч
2Затраты труда машинистов3,05чел.-ч
91.05.05-015 Краны на автомобильном ходу, грузоподъемность 16 т1,85маш.-ч
91.06.03-061 Лебедки электрические тяговым усилием до 12,26 кН (1,25 т)9,05маш.-ч
91.06.07-003 Тали электрические общего назначения, грузоподъемность 1 т0,8маш.-ч
91.14.02-001 Автомобили бортовые, грузоподъемность до 5 т1,2маш.-ч
01.7.03.04-0001 Электроэнергия284кВт-ч
07.2.07.13-0171Подкладки металлические6кг
VkOkYaMm
Добавьте в избранное
Сравнить расценки
Расценка ГЭСНм 32-01-021-01 в базе ФСНБ-2020 и ФСНБ-2022
ФЕРм 32-01-021-01Установка: выращивания эпитаксиальных структур гидридным методом при пониженном давлении, СВЧ обогревом — компл
ГЭСНм 32-01-021-01Установка: выращивания эпитаксиальных структур гидридным методом при пониженном давлении, СВЧ обогревом — компл

Все Расценки Таблицы

Таблица 32-01-021. Оборудование для эпитаксии

Номер расценкиНаименование и характеристика работ и конструкцийчел./чмаш./ч
ГЭСНм32-01-021-01Установка: выращивания эпитаксиальных структур гидридным методом при пониженном давлении, СВЧ обогревом — компл 144 3.05
ГЭСНм32-01-021-02Установка: эпитаксиального наращивания пленок монокристаллов — компл 356 6.76
ГЭСНм32-01-021-03Установка: наращивания эпитаксиальных слоев — компл 214 5.89
ГЭСНм32-01-021-04Установка: для изготовления многослойных гетероэпитаксиальных структур — компл 111 2.83

Обновление ФСНБ-2022
17.05.2024 - Обновлена ФСНБ-2022 дополнение №10 (приказ Минстроя России от 13.05.2024 № 323/пр)