Установка: выращивания эпитаксиальных структур гидридным методом при пониженном давлении, СВЧ обогревом — компл | |
Установка: выращивания эпитаксиальных структур гидридным методом при пониженном давлении, СВЧ обогревом — компл |
Таблица 32-01-021. Оборудование для эпитаксии
Номер расценки | Наименование и характеристика работ и конструкций | ||
---|---|---|---|
Установка: выращивания эпитаксиальных структур гидридным методом при пониженном давлении, СВЧ обогревом — компл | 144 | 3.05 | |
Установка: эпитаксиального наращивания пленок монокристаллов — компл | 356 | 6.76 | |
Установка: наращивания эпитаксиальных слоев — компл | 214 | 5.89 | |
Установка: для изготовления многослойных гетероэпитаксиальных структур — компл | 111 | 2.83 |